產(chǎn)品應(yīng)用：主要用于2～6英寸鍺單晶、砷化鎵等化合物晶體的生長

產(chǎn)品特點：
◆工業(yè)計算機(jī)控制系統(tǒng)（WINDOWS 系統(tǒng)界面，操作方便簡潔）
◆關(guān)鍵部件均采用進(jìn)口，確保設(shè)備的高可靠性
◆控溫精度高，溫區(qū)控溫穩(wěn)定性好
◆具有斷電報警、超溫/欠溫報警、極限超溫報警等多種安全保護(hù)功能
◆晶體生長均勻性好、重復(fù)性高
主要技術(shù)指標(biāo)
◆工作溫度：600～1280℃
◆適應(yīng)晶體尺寸：2～6英寸
◆裝料量：10Kg/爐
◆加熱控制：7段控制
◆溫區(qū)長度：800mm±0.5℃（1000～1280℃）
◆*大升溫速率：15℃/min
◆升降行程：900mm
◆*小升降速率（VB）：0.1mm/h
配套設(shè)備：合成爐、鑄錠爐、脫氧封管爐等